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MMBT5551-7-F价格
参考价格：￥0.0848
型号：MMBT5551-7-F 品牌：Diodes 备注：这里有MMBT5551-7-F多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBT5551-7-F批发/采购报价，MMBT5551-7-F行情走势销售排行榜，MMBT5551-7-F报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBT5551-7-F | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：419.38 Kbytes Page：4 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 |  |   |
MMBT5551-7-F | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：128.259 Kbytes Page：4 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | |
MMBT5551-7-F | 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司 |  | |
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Type Available (MMBT5401) • Ideal for Low Power Amplification and Switching • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant • Green Device (Notes 2 and 3) | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | | |
MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Type Available (DMMT5401) • Ideal for Low Power Amplification and Switching • Intrinsically Matched NPN Pair (Note 1) • 2 Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT) • Lead Free/RoHS Compliant (Note 4) • Green Device (Note 5 an | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | | |
MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：101.9 Kbytes Page：4 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | | |
MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：121.09 Kbytes Page：4 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | |
MMBT5551-7-F产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT5551-7-F
- 功能描述
两极晶体管 - BJT SS NPN 300mW
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
21+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
8080 |
只做原装,质量保证 |
|||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
25000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT-23-3 |
12037 |
原装现货假一赔十 |
|||
DIODES |
23+ |
SOT23-3 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
DIODES |
2015+ |
SOT23 |
26898 |
一级代理原装现货 |
|||
DIODES |
24+ |
SOT23-3 |
25248 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT-23-3 |
8750 |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
|||
原装DIODES |
19+ |
SOT-23 |
20000 |
||||
DIODES |
25+ |
SOT23-3 |
90000 |
原厂原装,价格优势 |
|||
DIODES |
1708+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
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MMBT5551-7-F规格书下载地址
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MMBT5551LT1G 是安森美半导体推出的一款 NPN 型硅高压晶体管，采用 SOT-23 封装，符合 AEC-Q101 要求，适用于汽车、工业等领域。
MMBT5551LT1G 是安森美半导体推出的一款 NPN 型硅高压晶体管，采用 SOT-23 封装，符合 AEC-Q101 要求，适用于汽车、工业等领域。
2025-7-22MMBT5551G-SOT23.3R-C-TG_UTC代理商
MMBT5551G-SOT23.3R-C-TG_UTC代理商
2023-2-8MMBT5551-7-F全新原装现货
MMBT5551-7-F集电极—发射极很大电压 VCEO: 160 V 集电极—基极电压 VCBO: 180 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V 集电极—射极饱和电压: 200 mV 很大直流电集电极电流: 600 mA Pd-功率耗散: 300 mW 增益带宽产品fT: 300 MHz
2022-3-22MMBT5551 支持原装现货订货型号 SOT-23
MMBT5551 CJ/长电 SOT-23
2021-4-22MMBT5551
MMBT5551,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-7-1MMBT5401
MMBT5401丝印 2L ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-23
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