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RFAMPLIFIERTRANSISTORNPNSILICON

TheRFLine NPNSiliconHigh-FrequencyTransistor Designedforsmall–signalamplificationatfrequenciesto500MHz.Specificallypackagedforuseinthickandthin–filmcircuitsusingsurfacemountcomponents. •HighGain—Gpe=15dBTyp@f=200MHz •LowNoise—NF=4.5dBTyp@f=200

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

RF&MICROWAVETRANSISTORS

DESCRIPTION TheMMBR5179LT1isalownoise,highgain,discretesiliconbipolartransistorshousedinlowcostplasticpackages. KEYFEATURES ◾HighFTau-1.4GHz ◾Lownoise-4.5dB@200MHz ◾LowcostSOT23package APPLICATIONS/BENEFITS ◾LNA,Oscillator,Pre-Driver

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
更新时间:2024-6-22 17:19:01
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