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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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ProgrammableTransimpedance,CurrenttoBitsReceiver關Module 文件：1.41463 Mbytes Page：45 Pages | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 |  | | |
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MMBT4355_Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT4355_Q
- 功能描述
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI |
19+ |
BGA84 |
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ADI/亚德诺 |
25+ |
原装 |
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ADI/亚德诺 |
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原厂封装 |
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ADI |
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SOT-89-3L |
100000 |
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AnalogDevices |
32-LFCSP |
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ADI/亚德诺 |
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原封装 |
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2021-3-9MMBT4401LT1G
晶体管类型：NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）：600mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：750mV@50mA，500mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@150mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC
2020-9-3MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：400mV@5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@10mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3
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