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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
High Linearity Quad MOSFET Mixer for GSM 800 & Cellular BTS Product Description The PE4124 is a high linearity, passive Quad MOSFET Mixer for GSM 800 & Cellular Base Station Receivers and exhibits high dynamic range performance over a broad LO drive range up to 20 dBm. This mixer integrates passive matching networks to provide single-ended interface | Peregrine | |||
HIGH FREQUENCY SWITCHING TRANSISTORS FOR BALLASTERS DESCRIPTION UTC 4124 is designed for specially used for electronic ballasters in 110VAC environment. FEATURES * Triple diffused technology. * High switching speed | UTC 友顺 | |||
POWER DIVIDERS 文件:195.22 Kbytes Page:3 Pages | APITECH | |||
POWER DIVIDERS 文件:195.21 Kbytes Page:3 Pages | APITECH | |||
POWER DIVIDERS FOUR-WAY, 1 TO 18 GHZ 文件:369.06 Kbytes Page:3 Pages | FILTRONIC |
MMBT4124_Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT4124_Q
- 功能描述
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
UTC/友顺 |
25+ |
TO-251 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
超微 |
23+ |
服务器 |
537 |
只做原装支持检测 |
|||
TE |
21+ |
标准封装 |
100 |
保证原装正品,需要请联系张小姐13544103396 |
|||
TE/泰科 |
24+ |
SMD |
1200000 |
绝对原装正品现货假一罚十 |
|||
TE |
2020+ |
3200 |
只做原装,可提供样品 |
||||
TE/泰科 |
2223+ |
NA |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
IR |
25+ |
DIP-4 |
594 |
全新原装正品支持含税 |
|||
TE/泰科 |
2508+ |
/ |
129991 |
一级代理,原装现货 |
|||
UTC/友顺 |
24+ |
TO-126 |
50000 |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
|||
FLIRCommercialSystems-In |
新 |
7 |
全新原装 货期两周 |
MMBT4124_Q规格书下载地址
MMBT4124_Q参数引脚图相关
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- MMBT4400
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2021-3-9MMBT4401LT1G
晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):600mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):750mV @ 50mA,500mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,1V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC
2020-9-3MMBT3906LT1G
晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59
2020-9-3
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