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MMBT3906LT1H价格
参考价格：￥0.1070
型号：MMBT3906LT1HTSA1 品牌：Infineon Technologies 备注：这里有MMBT3906LT1H多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBT3906LT1H批发/采购报价，MMBT3906LT1H行情走势销售排行榜，MMBT3906LT1H报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBT3906LT1H | 包装：散装 描述：TRANS PNP 40V 200MA BIPO SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 |  | | |
GeneralPurposeTransistor(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •Pb-FreePackagesareAvailable | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT3906LT1isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. AbsoluteMaximumRatings •MaximumTemperatures StorageTemperature...............................................................................................-55~+150°C JunctionTemper | TGS Tiger Electronic Co.,Ltd |  | | |
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |  | | |
GeneralPurposeTransistors 文件：142.91 Kbytes Page：5 Pages | LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 |  | | |
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MMBT3906LT1H产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT3906LT1H
- 制造商
Rochester Electronics LLC
- 制造商
ON Semiconductor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-23-3 |
3022 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
WILLAS |
24+ |
SOT-23 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
||||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ON |
24+ |
SOT-23 |
56000 |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
|||
INFINEON |
21+ |
标准封装 |
475 |
保证原装正品,需要联系张小姐 13544103396 微信同号 |
|||
SOT-23 |
2020+ |
WILLAS |
2850 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
45000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
||||
onsemi |
25+ |
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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2021-3-9MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：400mV@5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@10mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3
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