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MMBT3906LT1H价格
参考价格：￥0.1070
型号：MMBT3906LT1HTSA1 品牌：Infineon Technologies 备注：这里有MMBT3906LT1H多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBT3906LT1H批发/采购报价，MMBT3906LT1H行情走势销售排行榜，MMBT3906LT1H报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBT3906LT1H | 包装：散装 描述：TRANS PNP 40V 200MA BIPO SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 |  | | |
GeneralPurposeTransistor(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •Pb-FreePackagesareAvailable | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT3906LT1isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. AbsoluteMaximumRatings •MaximumTemperatures StorageTemperature...............................................................................................-55~+150°C JunctionTemper | TGS Tiger Electronic Co.,Ltd |  | | |
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |  | | |
GeneralPurposeTransistors 文件：142.91 Kbytes Page：5 Pages | LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 |  | | |
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MMBT3906LT1H产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT3906LT1H
- 制造商
Rochester Electronics LLC
- 制造商
ON Semiconductor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SOT-23 |
2020+ |
WILLAS |
2850 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
18+ |
SOT23 |
12500 |
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
9734 |
只做全新原装进口现货 |
|||
SOT-23 |
23+ |
WILLAS |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-23-3 |
3022 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
ON/安森美 |
24+ |
SOT23-6 |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
|||
24+ |
N/A |
46000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
ON/ONSemiconductor/安森 |
24+ |
SOT-23 |
18200 |
新进库存/原装 |
|||
INFINEON |
22+ |
SOT-23-3 |
8000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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2021-3-9MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：400mV@5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@10mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3
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