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MMBT3906LT1H价格
参考价格：￥0.1070
型号：MMBT3906LT1HTSA1 品牌：Infineon Technologies 备注：这里有MMBT3906LT1H多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBT3906LT1H批发/采购报价，MMBT3906LT1H行情走势销售排行榜，MMBT3906LT1H报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBT3906LT1H | 包装：散装 描述：TRANS PNP 40V 200MA BIPO SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
MMBT3906LT1H | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR PBFREE | ONSEMI 安森美半导体 | | |
General Purpose Transistor General Purpose Transistor PNP Silicon | Motorola 摩托罗拉 | | ||
General Purpose Transistor(PNP Silicon) General Purpose Transistor PNP Silicon Features •Pb-Free Packages are Available | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The MMBT3906LT1 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Absolute Maximum Ratings • Maximum Temperatures Storage Temperature............................................................................................... -55~+150°C Junction Temper | TGS | | ||
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | Infineon 英飞凌 | | ||
General Purpose Transistors 文件：142.91 Kbytes Page：5 Pages | LRC 乐山无线电 | | ||
General Purpose Transistors 文件：142.91 Kbytes Page：5 Pages | LRC 乐山无线电 | |
MMBT3906LT1H产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT3906LT1H
- 制造商
Rochester Electronics LLC
- 制造商
ON Semiconductor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
||||
SOT-23 |
25+ |
WILLAS |
2850 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-23-3 |
3022 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
INFINEON |
21+ |
标准封装 |
475 |
保证原装正品,需要联系张小姐 13544103396 微信同号 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
||||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
SOT-23 |
23+ |
WILLAS |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
INFINEON |
24+ |
n/a |
25836 |
新到现货,只做原装进口 |
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2021-3-9MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：400mV @ 5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值：300mW 频率 - 跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3
DdatasheetPDF页码索引
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