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型号	功能描述	生产厂家&企业
LMBT3906DW1T1	DualBiasResistorTransistor DualBiasResistorTransistor TheLMBT3906DW1T1deviceisaspin–offofourpopularSOT–23/SOT–323three–leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandishousedintheSOT–363six–leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesinonepackage,thisdevi	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LMBT3906DW1T1G	DualBiasResistorTransistor DualBiasResistorTransistor TheLMBT3906DW1T1deviceisaspin–offofourpopularSOT–23/SOT–323three–leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandishousedintheSOT–363six–leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesinonepackage,thisdevi	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
MBT3906DW1T1	DualGeneralPurposeTransistors DualGeneralPurposeTransistors TheMBT3904DW1T1,MBT3906DW1T1,andMBT3946DW1T1devicesarespin–offsofourpopularSOT–23/SOT–323three–leadeddevices.TheyaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandarehousedintheSOT–363six–leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwod	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
MBT3906DW1T1	DualGeneralPurposeTransistor 文件：111.24 Kbytes Page：6 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBT3906DW1T1	DualGeneralPurposeTransistors 文件：720.39 Kbytes Page：10 Pages	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司

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更新时间：2025-7-23 10:51:01

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深圳市旺财半导体有限公司	MBT3906DW1T1	ON	23+		4000	正品原装货价格低	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	MBT3906DW1T1	ON	23+	SOT-363	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市云美电子科技有限公司	MBT3906DW1T1G	ONSEMI/安森美	24+	SOT363	120000	只做全新原装进口现货	询价

MMBT3904T双极晶体管
MMBT3904T双极晶体管
2023-12-29
MMBT3904VL一款NPN型的小信号晶体管
MMBT3904VL应用于消费电子、通信、数据传输、传感器接口、低功耗逻辑电路和模拟电路等领域。
2023-6-30
MMBT3906G-SOT23.3R-TG_UTC代理商
MMBT3906G-SOT23.3R-TG_UTC代理商
2023-2-9
MMBT3906WT1G 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
MMBT3906WT1G双极晶体管-双极结型晶体管(BJT)，SC-70-3，ON安森美原装现货
2022-2-22
MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：400mV@5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@10mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3
MMBT3904T-7-F
MMBT3904T-7-F
2019-3-5