位置：首页 > IC中文资料 > MMBF170LT1(6Z)
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MonolithicDualSwitchingDiode Thisswitchingdiodehasthefollowingfeatures: ▪LowLeakageCurrentApplications ▪MediumSpeedSwitchingTimes ▪Availablein8mmTapeandReel UseBAV170LT1toorderthe7inch/3,000unitreel UseBAV170LT3toorderthe13inch/10,000unitreel | LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 |  |   | |
SurfaceMountLowLeakgeDiodeUltra-SmallSurfaceMountPackage FEATURE ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●VeryLowLeakageCurrent ●LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability ● ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliance withRoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicati | LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 | | | |
SurfaceMountLowLeakgeDiode FEATURE ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●VeryLowLeakageCurrent ●LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliance withRoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplications | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司 |  | | |
N-CHANNELPOWERMOSFET 文件：102.38 Kbytes Page：4 Pages | LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 | | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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DIODES/美台 |
23+ |
SOT23 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
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DIODES |
1520+ |
SOT-23 |
9000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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DIODES/美台 |
24+ |
SOT23 |
25000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
LRC/乐山 |
2020 |
SOT-23 |
360000 |
||||
LRC/乐山 |
25+ |
SOT-23 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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DIODES/美台 |
23+ |
SOT23 |
25630 |
原装正品 |
|||
LRC/乐山 |
2020 |
SOT-23 |
360000 |
原装现货 |
|||
DIODES/美台 |
2023+ |
SOT23 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
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DIODES/美台 |
21+ |
SOT23 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
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恩XP |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
MMBF170LT1(6Z)芯片相关品牌
MMBF170LT1(6Z)规格书下载地址
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- MMBT589
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MMBF170LT1(6Z)数据表相关新闻
MMB02070C1960FB700
进口代理
2024-9-24MMBD7000LT1G 开关二极管 SOT-23
现货100K品牌ON/安森美
2022-7-4MMBD7000 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBD7000CJ/长电SOT-23
2021-5-15MMBF4393LT1G
商品目录结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C时）- 漏源电压（Vdss）- 栅源极阈值电压- 漏源导通电阻- 类型N沟道 最大功率耗散（Ta=25°C）225mW
2020-11-12MMBFJ112 MOS场效应管 晶体管 十年IC，只做原装
MMBFJ112 十年IC，只做原装
2020-10-20MMBF5484RF放大器SOT-23全新原装现货直拍丝印6B
MMBF5484RF放大器SOT-23全新原装现货直拍丝印6B
2019-2-25
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