位置：首页 > IC中文资料第1600页 > MMBD701LT3G
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBD701LT3G | Silicon Hot?묬arrier Diodes Schottky Barrier Diodes 文件：64.709 Kbytes Page：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
MMBD701LT3G | Silicon Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes 文件：128.6 Kbytes Page：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
MMBD701LT3G | Silicon Hot-Carrier Diodes 文件：94.09 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
MMBD701LT3G | 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT23-3 分立半导体产品 二极管 - 射频 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Silicon Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes 文件：128.6 Kbytes Page：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Silicon Hot?묬arrier Diodes Schottky Barrier Diodes 文件：64.709 Kbytes Page：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
MMBD701LT3G产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBD701LT3G
- 功能描述
DIODE SCHOTTKY 70V SOT-23
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> RF 二极管
- 系列
-
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 二极管类型
PIN - 单 电压 -
- 峰值反向(最大)
50V 电流 -
- 最大
50mA 电容@ Vr,
- F
0.4pF @ 50V，1MHz 电阻@ Vr,
- F
4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz
- 功率耗散（最大）
100mW
- 封装/外壳
SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装
3-MCP
- 包装
带卷(TR)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
2418+ |
N/A |
23566 |
原装优势现货!一片起卖!可开专票! |
|||
ON |
24+ |
SOT-23 |
10000 |
||||
VISHAY/威世 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ON/安森美 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
Vishay |
17 |
na |
5000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
TAOGLAS |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
ON/安森美 |
26+ |
NA |
120000 |
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道 |
|||
VISHAY |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
SMD |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
VISHAY |
1215+ |
SMD |
150000 |
全新原装,绝对正品,公司大量现货供应. |
MMBD701LT3G规格书下载地址
MMBD701LT3G参数引脚图相关
- nrf24l01
- nfc芯片
- NFC
- ne555定时器
- ne555
- nand闪存
- n74
- n100
- mxt
- murata
- mt7201
- mt6795
- msm8625q
- msm7227a
- MP4
- MP3
- mos晶体管
- mos管
- MOSFET
- molex连接器
- MMBT589
- MMBT56
- MMBT493
- MMBT491
- MMBT42
- MMBT28S
- MMBT200
- MMBT100
- MMBR951
- MMBR941
- MMBR931
- MMBR930
- MMBR920
- MMBR911
- MMBR571
- MMBF170
- MMBF102
- MMBD914
- MMBD770
- MMBD717WS-T1
- MMBD717WS_09
- MMBD717WS
- MMBD717W_09
- MMBD717W
- MMBD717-T1
- MMBD717SW-T1
- MMBD717SW
- MMBD717S-T1
- MMBD717S
- MMBD717LT1G
- MMBD717LT1D
- MMBD717LT1_06
- MMBD717LT1
- MMBD717AW-T1
- MMBD717AW
- MMBD717A-T1
- MMBD717A
- MMBD717_09
- MMBD717
- MMBD701LT3
- MMBD701LT1G
- MMBD701LT1
- MMBD701
- MMBD7000-V-GS18
- MMBD7000-V-GS08
- MMBD7000-V-G-18
- MMBD7000-V-G-08
- MMBD7000-TP
- MMBD7000T
- MMBD7000LT3G
- MMBD7000LT3
- MMBD7000LT1XT
- MMBD7000LT1HTSA1
- MMBD7000LT1G
- MMBD7000LT1
- MMBD7000L
- MMBD7000HS-7-F
- MMBD7000-HE3-08
- MMBD7000HC-7-F
- MMBD452
- MMBD355
- MMBD354
- MMBD353
- MMBD352
- MMBD330
- MMBD318
- MMBD301
- MMBD248
- MMBD193
- MMBD101
- MMBA_15
- MMB8G
- MMB6G
- MMB4G
- MMB358W
- MMB358
- MMB356W
- MMB356
MMBD701LT3G数据表相关新闻
MMB02070C1960FB700
进口代理
2024-9-24MMBD7000LT1G 开关二极管 SOT-23
现货100K 品牌 ON/安森美
2022-7-4MMBD7000 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBD7000 CJ/长电 SOT-23
2021-5-15MMBF4393LT1G
商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） - 漏源电压（Vdss） - 栅源极阈值电压 - 漏源导通电阻 - 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 225mW
2020-11-12MMBFJ112 MOS场效应管 晶体管 十年IC，只做原装
MMBFJ112 十年IC，只做原装
2020-10-20MMBF5484RF放大器SOT-23全新原装现货直拍丝印6B
MMBF5484 RF 放大器 SOT-23 全新原装现货 直拍 丝印6B
2019-2-25
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106
- P107
- P108
- P109
- P110
