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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBD6100LT3 | Monolithic Dual Switching Diode
| ONSEMI 安森美半导体 |   | |
MMBD6100LT3 | Monolithic Dual Switching Diode 文件：53.01 Kbytes Page：3 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
MMBD6100LT3 | 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Monolithic Dual Switching Diode Monolithic Dual Switching Diode Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Monolithic Dual Switching Diode 文件：126.61 Kbytes Page：3 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Monolithic Dual Switching Diode 文件：53.01 Kbytes Page：3 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
MMBD6100LT3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBD6100LT3
- 功能描述
二极管 - 通用，功率，开关 70V 200mA
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 产品
Switching Diodes
- 峰值反向电压
600 V
- 正向连续电流
200 A
- 最大浪涌电流
800 A
- 恢复时间
2000 ns
- 正向电压下降
1.25 V
- 最大反向漏泄电流
300 uA
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
ISOTOP
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
SOT-23-3(TO-236) |
12421 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
onsemi |
25+ |
SOT-23-3(TO-236) |
12369 |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
PANJIT |
2016+ |
SOT-323 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
ON/安森美 |
19+ |
SOT-23 |
4042 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ONSEMICON |
23+ |
NA |
707 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
NS |
25+ |
SOT-23 |
2987 |
绝对全新原装现货供应! |
|||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封□□ |
9153 |
原装进口特价供应特价，原装元器件供应，支持开发样品更多详细咨询库存 |
|||
恩XP |
24+ |
SOT23 |
44300 |
NXP一级代理专营品牌绝对进口原装假一赔十 |
|||
M |
24+ |
SOT-23 |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
|||
FSC |
23+ |
SOT23 |
8600 |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
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2023-4-10MMBD7000LT1G 开关二极管 SOT-23
现货100K 品牌 ON/安森美
2022-7-4MMA8652FCR1 加速计 3-axis 2g/4g/8g 12 bit
供应恩智浦原装现货MMA8652FCR1 加速计 3-axis 2g/4g/8g 12 bit，DFN10
2022-3-28MMBD7000 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBD7000 CJ/长电 SOT-23
2021-5-15MMBF4393LT1G
商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） - 漏源电压（Vdss） - 栅源极阈值电压 - 漏源导通电阻 - 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 225mW
2020-11-12
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