位置：首页 > IC中文资料 > MMBD353LT1(M4FX)
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroV •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •P | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   | |
DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA | LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 |  | | |
DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 |  | | |
DualHotCarrierMixerDiodes 文件：93.76 Kbytes Page：3 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
DualHotCarrierMixerDiodes 文件：122.87 Kbytes Page：3 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
SOT-23 |
17593 |
原装正品现货,可开13点税 |
|||
ON |
24+ |
2988 |
|||||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ONSEMI |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
SOT23 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
|||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
|||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT-23 |
17703 |
ONSEMI/安森美原装特价MMBD353LT1G即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
ON |
2016+ |
SOT23 |
2220 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON/安森美 |
2023+ |
SOT-23 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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2023-4-10MMBD7000LT1G 开关二极管 SOT-23
现货100K品牌ON/安森美
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供应恩智浦原装现货MMA8652FCR1加速计3-axis2g/4g/8g12bit，DFN10
2022-3-28MMBD7000 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBD7000CJ/长电SOT-23
2021-5-15MMBF4393LT1G
商品目录结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C时）- 漏源电压（Vdss）- 栅源极阈值电压- 漏源导通电阻- 类型N沟道 最大功率耗散（Ta=25°C）225mW
2020-11-12
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