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位置：首页 > IC中文资料第2734页 > MMBD352LT1G

MMBD352LT1G价格

参考价格：￥0.2699

型号：MMBD352LT1G 品牌：ON 备注：这里有MMBD352LT1G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBD352LT1G批发/采购报价，MMBD352LT1G行情走势销售排行榜，MMBD352LT1G报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MMBD352LT1G

DualHotCarrierMixerDiodes

DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroV •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •P

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBD352LT1G

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：托盘 描述：DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3 分立半导体产品 二极管 - 射频

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBD352LT1G

DualHotCarrierMixerDiodes

文件：122.87 Kbytes Page：3 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBD352LT1G

DualHotCarrierMixerDiodes

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBD352LT1

DualHotCarrierMixerDiodes

DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroV •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •P

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBD352LT1

DualHotCarrierMixerDiodes

DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA

LRCLeshan Radio Company

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

LRC
MMBD352LT1

DualHotCarrierMixerDiodes

DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
MMBD352LT1

DualHotCarrierMixerDiodes

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBD352LT1G_07

DualHotCarrierMixerDiodes

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

MMBD352LT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBD352LT1G

  • 功能描述

    整流器 7V 225mW Dual

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Vishay Semiconductors

  • 产品

    Standard Recovery Rectifiers

  • 反向电压

    100 V

  • 恢复时间

    1.2 us

  • 正向连续电流

    2 A

  • 最大浪涌电流

    35 A 反向电流

  • IR

    5 uA

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    DO-221AC

  • 封装

    Reel

MMBD352LT1G供应商更多...

更新时间：2025-8-4 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
MMBD352LT1G
ON(安森美)
24+
标准封装
11247
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深圳市得捷芯城科技有限公司
MMBD352LT1G
ON/安森美
24+
NA/
30000
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MMBD352LT1G
ON
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MMBD352LT1G
ON/安森美
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MMBD352LT1G
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标准封装
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深圳市宇创芯科技有限公司
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MMBD352LT1G
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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