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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBD1702A | 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：剪切带（CT） 描述：DIODE GEN PURP 30V SOT23-3 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
MMBD1702A | DIODE GEN PURP 30V SOT23-3 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Customer Specification Construction Diameters (In) 1) Component 1 1 X 1 COND a) Conductor 25 (3/33TC4/33TCW) AWG TC & TCW 0.021 b) Insulation 0.016 Wall, Nom. Polyethylene(PE) 0.053 (1) Color(s) Cond Color Cond Color Cond Color 1 WHITE 2) Shield Tinned Copper SPIRAL Shield,90 Coverage, Min. 3) Jacket 0.018 | ALPHAWIRE | | ||
NPN general purpose transistor DESCRIPTION NPN transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. PNP complement: ED1802. FEATURES • Low current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 25 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. | Philips 飞利浦 | | ||
Shorty Plugs 文件：112.72 Kbytes Page：1 Pages | Heyco | | ||
3M??Novec??1702 Electronic Grade Coating 文件：118.9 Kbytes Page：4 Pages | 3M | | ||
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：76.06 Kbytes Page：1 Pages | SEMTECH_ELEC 先之科半导体 | |
MMBD1702A产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBD1702A
- 功能描述
二极管 - 通用，功率，开关 High Conductance Low Leakage
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 产品
Switching Diodes
- 峰值反向电压
600 V
- 正向连续电流
200 A
- 最大浪涌电流
800 A
- 恢复时间
2000 ns
- 正向电压下降
1.25 V
- 最大反向漏泄电流
300 uA
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
ISOTOP
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
23+ |
SOT-23 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
||||
MSV/萌盛微 |
24+ |
SOT-23 |
60000 |
||||
FAIRCHILD |
23+ |
SOT23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
Bychip/百域芯 |
21+ |
SOT-23 |
30000 |
优势供应 品质保障 可开13点发票 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
|||
FAIRCHI |
23+ |
SOT-23 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
National |
24+ |
原厂封装 |
30000 |
原装现货假一罚十 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
785 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
25+ |
SOT-23 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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供应恩智浦原装现货MMA8652FCR1 加速计 3-axis 2g/4g/8g 12 bit，DFN10
2022-3-28MMBD7000 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
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2021-5-15MMBF4393LT1G
商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） - 漏源电压（Vdss） - 栅源极阈值电压 - 漏源导通电阻 - 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 225mW
2020-11-12
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