MMBA811C8晶体管资料

  • MMBA811C8别名:MMBA811C8三极管、MMBA811C8晶体管、MMBA811C8晶体三极管

  • MMBA811C8生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司

  • MMBA811C8制作材料

  • MMBA811C8性质:低频或音频放大 (LF)_通用 (G)

  • MMBA811C8封装形式

  • MMBA811C8极限工作电压:50V

  • MMBA811C8最大电流允许值:0.05A

  • MMBA811C8最大工作频率:<1MHZ或未知

  • MMBA811C8引脚数

  • MMBA811C8最大耗散功率:0.3W

  • MMBA811C8放大倍数

  • MMBA811C8图片代号:NO

  • MMBA811C8vtest:50

  • MMBA811C8htest:999900

  • MMBA811C8atest:0.05

  • MMBA811C8wtest:0.3

  • MMBA811C8代换 MMBA811C8用什么型号代替:2SA188C8,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MMBA811C8

PNP(DRIVERTRANSISTOR)

DRIVERTRANSISTOR

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

MMBA811C8产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBA811C8

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    PNP(DRIVER TRANSISTOR)

更新时间:2025-7-24 17:05:00
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