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MM5837 | DigitalNoiseSource 文件：53.02 Kbytes Page：2 Pages | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 |  |   |
DigitalNoiseSource 文件：53.02 Kbytes Page：2 Pages | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | | | |
MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiodeGeneral-PurposeSwitchingDevice MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypewithanN-channelsiliconMOSFETandaschottkybarrierdiode(SS10015M)containedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. •[MOSFET] •LowON-resistance. •1.8Vdrive. •[SBD] • | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社 |  | | |
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EXCELLENTCHARACTERSAPPEARANCE 文件：149.31 Kbytes Page：5 Pages | LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司 |  | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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