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HighCurrentGainMediumPowerNPNEpitaxialPlanarTransistor

HighCurrentGainMediumPowerNPNEpitaxialPlanarTransistor AUDIOMUTINGAPPLICATION Features •HighEmitter-Basevoltage,VEBO=12V(min). •HighDCcurrentgain,hFE=1200(min.)@VCE=3V,IC=10mA. •LowVCESAT,VCESAT=0.16Vtyp.@IC=500mA,IB=20mA. •Pb-freeandhalogen-freepackage.

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

CYSTEKEC
更新时间:2025-7-27 15:31:01
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