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MLP1N06CL	VOLTAGECLAMPEDCURRENTLIMITINGMOSFET 文件：136.69 Kbytes Page：6 Pages	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MLP1N06CL	SMARTDISCRETESTMMOSFET1Amp,62Volts,LogicLevelN-ChannelTO-220 文件：65.62 Kbytes Page：8 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MLP1N06CL	封装/外壳：TO-220-3 包装：管件描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB 集成电路（IC）配电开关，负载驱动器	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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L1N06C	SMARTDISCRETESTMMOSFET1Amp,62Volts,LogicLevelN?묬hannelDPAK SMARTDISCRETESMOSFET1Amp,62Volts,LogicLevelN−ChannelDPAK TheMLD1N06CLisdesignedforapplicationsthatrequirearuggedpowerswitchingdevicewithshortcircuitprotectionthatcanbedirectlyinterfacedtoamicrocontrolunit(MCU).Idealapplicationsincludeautomotivefuelinjector	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MLD1N06CL	SMARTDISCRETESTMMOSFET1Amp,62Volts,LogicLevelN?묬hannelDPAK SMARTDISCRETESMOSFET1Amp,62Volts,LogicLevelN−ChannelDPAK TheMLD1N06CLisdesignedforapplicationsthatrequirearuggedpowerswitchingdevicewithshortcircuitprotectionthatcanbedirectlyinterfacedtoamicrocontrolunit(MCU).Idealapplicationsincludeautomotivefuelinjector	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MLD1N06CL	VOLTAGECLAMPEDCURRENTLIMITINGMOSFET SMARTDISCRETESInternallyClamped,CurrentLimitedN–ChannelLogicLevelPowerMOSFET TheMLD1N06CLisdesignedforapplicationsthatrequirearuggedpowerswitchingdevicewithshortcircuitprotectionthatcanbedirectlyinterfacedtoamicrocontrolunit(MCU).Idealapplicationsincludeauto	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉

MLP1N06CL产品属性

类型
描述
型号
MLP1N06CL
功能描述
MOSFET 62V 1A N-Channel
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2024-5-17 20:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2020-5-23
ML9266MRG全新原装现货
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SMD电感（线圈）对于信号线（多层，磁屏蔽）要进一步精简各种数字设备保持高度的功能，并在低功耗到Excel，安装在设备上的零件也需要有较低的阻力。MLF1005L类型是一个电感器已的新生产线开发，以满足这样的要求：，他们的抵抗已经高达35％的下降，与现有的比较MLF1005类型。此外，该新型电感器使用类似的磁屏蔽，这使他们的高密度安装。MLF1005LR10KT特点•MLF1005L类型的电阻降低高达35％，与现有MLF1005类型的比较。•磁屏蔽配置，允许
2012-11-6

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