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位置：首页 > IC中文资料第1779页 > MLD1N06CLT4

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MLD1N06CLT4

SMARTDISCRETESTMMOSFET1Amp,62Volts,LogicLevelN?묬hannelDPAK

SMARTDISCRETESMOSFET1Amp,62Volts,LogicLevelN−ChannelDPAK TheMLD1N06CLisdesignedforapplicationsthatrequirearuggedpowerswitchingdevicewithshortcircuitprotectionthatcanbedirectlyinterfacedtoamicrocontrolunit(MCU).Idealapplicationsincludeautomotivefuelinjector

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MLD1N06CLT4

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK 集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MLD1N06CLT4G

N-Channel60V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee APPLICATIONS •DC/DCConverters •DC/ACInverters •MotorDrives

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
MLD1N06CLT4G

SMARTDISCRETESTMMOSFET1Amp,62Volts,LogicLevelN?묬hannelDPAK

SMARTDISCRETESMOSFET1Amp,62Volts,LogicLevelN−ChannelDPAK TheMLD1N06CLisdesignedforapplicationsthatrequirearuggedpowerswitchingdevicewithshortcircuitprotectionthatcanbedirectlyinterfacedtoamicrocontrolunit(MCU).Idealapplicationsincludeautomotivefuelinjector

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MLD1N06CLT4G

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR） 描述：IC MOSFET POWER N-CH 1A 65V DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 特殊用途

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

MLD1N06CLT4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MLD1N06CLT4

  • 功能描述

    MOSFET 62V 1A N-Channel

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

MLD1N06CLT4供应商更多...

更新时间：2025-6-3 14:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市河锋鑫科技有限公司
MLD1N06CLT4
ON Semiconductor
22+
DPAK3
9000
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深圳市联世界科技有限公司
MLD1N06CLT4G
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MLD1N06CLT4
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MLD1N06CLT4
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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    480995701连接器480995701产品资料报价

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