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MJW3281A_V01

ComplementaryNPN-PNPSiliconPowerBipolarTransistors

TheMJW3281AandMJW1302AarePowerBasepowertransistors forhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinear applications. Features Designedfor100WAudioFrequency GainComplementary: GainLinearityfrom100mAto7A hFE=45(Min)@IC=8A LowHarmonicDistortion 

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-8-1 20:07:00
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