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MJE270G_V01

Complementary Silicon Power Transistors

Features • High Safe Operating Area IS/B @ 40 V, 1.0 s = 0.375 A • Collector−Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) • High DC Current Gain hFE @ 120 mA, 10 V = 1500 (Min) • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-9-30 15:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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