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MJD42C-251

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -1.5V(Max) @IC= -6A ·Complement to Type MJD41C APPLICATIONS · Designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications

ISC

无锡固电

更新时间:2025-11-4 15:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
24+
DPAK4LEADSingleG
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onsemi(安森美)
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TO252
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