MJD29C晶体管资料

  • MJD29C别名:MJD29C三极管、MJD29C晶体管、MJD29C晶体三极管

  • MJD29C生产厂家:韩国三星公司

  • MJD29C制作材料

  • MJD29C性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • MJD29C封装形式:贴片封装

  • MJD29C极限工作电压

  • MJD29C最大电流允许值:1A

  • MJD29C最大工作频率:<1MHZ或未知

  • MJD29C引脚数:3

  • MJD29C最大耗散功率:15W

  • MJD29C放大倍数

  • MJD29C图片代号:G-217

  • MJD29Cvtest:0

  • MJD29Chtest:999900

  • MJD29Catest:1

  • MJD29Cwtest:15

  • MJD29C代换 MJD29C用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJD29C

General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications

GeneralPurposeAmplifier LowSpeedSwitchingApplications •LoadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularTIP29andTIP29C

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:TRANS NPN 100V 1A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

MJD29C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD29C

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-7-27 13:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
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TO-251
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