MJD2955T4G价格

参考价格:¥1.5196

型号:MJD2955T4G 品牌:ONSemi 备注:这里有MJD2955T4G多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,MJD2955T4G批发/采购报价,MJD2955T4G行情走势销售排行榜,MJD2955T4G报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MJD2955T4G

Complementary Power Transistors

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“−1” Suff

ONSEMI

安森美半导体

MJD2955T4G

Complementary Power Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

MJD2955T4G

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:剪切带(CT)带盒(TB) 描述:TRANS PNP 60V 10A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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安森美半导体

MJD2955T4G

三极管

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安森美半导体

MJD2955T4G

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

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安森美半导体

MJD2955T4G

Complementary Power Transistors

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安森美半导体

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

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安森美半导体

MJD2955T4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD2955T4G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-3-1 16:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
25+23+
TO252
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ON/安森美
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TO-252-2(DPAK)
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