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MJD200价格

参考价格：￥1.6513

型号：MJD200 品牌：ON 备注：这里有MJD200多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJD200批发/采购报价，MJD200行情走势销售排行榜，MJD200报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MJD200

D-PAK for Surface Mount Applications

D-PAK for Surface Mount Applications • High DC Current Gain • Built-in a Damper Diode at E-C • Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “ - I “ Suffix)

FAIRCHILD

仙童半导体

MJD200

Complementary Plastic Power Transistors

Complementary Plastic Power Transistors NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications Designed for low voltage, low−power, high−gain audio amplifier applications. Features • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus)= 25 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc • High DC Current Gain − hFE

ONSEMI

安森美半导体

MJD200

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS MJD200 NPN MJD210 PNP NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications . . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications. • Collector–Emitter Sustaining Voltage —VCEO(sus)= 25 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc

MOTOROLA

摩托罗拉

MJD200

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 25V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.3V(Max) @IC= 0.5A APPLICATIONS · Designed for use in general purpose amplifer and low Speed switching applications

ISC

无锡固电

MJD200

5 A, 25 V NPN Bipolar Power Transistor

The Bipolar Power Transistor is designed for low voltage, low power, high gain audio amplifier applications. The MJD200 (NPN) and MJD210 (PNP) are complementary devices. • Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc\n• High DC Current Gain - hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc= 45 (Min) @ IC = 2 Adc= 10 (Min) @ IC = 5 Adc\n• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)\n• Straight Lead Version in Plastic Sle;

ONSEMI

安森美半导体

MJD200

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：托盘 描述：TRANS NPN 25V 5A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJD200

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS

ETC

知名厂家

MJD200

Complementary Plastic Power Transistors

文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200

Complementary Plastic Power Transistors

文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200

Complementary Plastic Power Transistors

文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200-1

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS MJD200 NPN MJD210 PNP NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications . . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications. • Collector–Emitter Sustaining Voltage —VCEO(sus)= 25 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc

MOTOROLA

摩托罗拉

MJD200T4

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS MJD200 NPN MJD210 PNP NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications . . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications. • Collector–Emitter Sustaining Voltage —VCEO(sus)= 25 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc

MOTOROLA

摩托罗拉

MJD200_06

Complementary Plastic Power Transistors

文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200_11

Complementary Plastic Power Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

MJD200_13

Complementary Plastic Power Transistors

文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200G

Complementary Plastic Power Transistors

文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200G

Complementary Plastic Power Transistors

文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200G

Complementary Plastic Power Transistors

文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200RL

Complementary Plastic Power Transistors

文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200RLG

Complementary Plastic Power Transistors

文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200RLG

Complementary Plastic Power Transistors

文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200RLG

Complementary Plastic Power Transistors

文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200RLG

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 25V 5A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJD200T4

Complementary Plastic Power Transistors

文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200T4G

Complementary Plastic Power Transistors

文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200T4G

Complementary Plastic Power Transistors

文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200T4G

Complementary Plastic Power Transistors

文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

QM200HA-HK

HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE • IC Collector current 200A • VCEX Collector-emitter voltage 600V • hFE DC current gain 75 • Insulated Type • UL Recognized Yellow Card No. E80276 (N) File No. E80271 APPLICATION

MITSUBISHI

三菱电机

QM200HC-M

HIGH POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE

HIGH POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE • IC Collector current 200A • VCEX Collector-emitter voltage 350V • hFE DC current gain 100 • Non-Insulated Type APPLICATION Robotics, Welders, Forklifts, Golf cart

MITSUBISHI

三菱电机

TM200EZ-H

HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE

HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE • IT (AV) Average on-state current 200A • IF (AV) Average forward current 200A • VRRM Repetitive peak reverse voltage 400/800/1200/1600V • VDRM Repetitive peak off-state voltage 400/800/1200/1600V • MIX DOUBLE A

MITSUBISHI

三菱电机

TM200PZ-H

HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE

HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE • IT (AV) Average on-state current 200A • VRRM Repetitive peak reverse voltage 400/800/1200/1600V • VDRM Repetitive peak off-state voltage 400/800/1200/1600V • DOUBLE ARMS • Insulated Type • UL Recognized Yellow Card No.

MITSUBISHI

三菱电机

TM200RZ-H

HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE

HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE • IT (AV) Average on-state current 200A • IF (AV) Average forward current 200A • VRRM Repetitive peak reverse voltage 400/800/1200/1600V • VDRM Repetitive peak off-state voltage 400/800/1200/1600V • MIX DOUBLE A

MITSUBISHI

三菱电机

MJD200产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Polarity：

    NPN

  • Type：

    General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)：

    1.8

  • IC Cont. (A)：

    5

  • VCEO Min (V)：

    25

  • VCBO (V)：

    40

  • VEBO (V)：

    8

  • VBE(sat) (V)：

    2.5

  • VBE(on) (V)：

    1.6

  • hFE Min：

    45

  • hFE Max：

    180

  • fT Min (MHz)：

    65

  • PTM Max (W)：

    12.5

  • Package Type：

    DPAK-3

MJD200供应商更多...

更新时间：2026-7-22 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
MJD200RLG
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