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位置：首页 > IC中文资料第1313页 > MJD128T4

MJD128T4价格

参考价格：￥1.4626

型号：MJD128T4G 品牌：ON 备注：这里有MJD128T4多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJD128T4批发/采购报价，MJD128T4行情走势销售排行榜，MJD128T4报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MJD128T4

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：托盘 描述：TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJD128T4

TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

MJD128T4G

Complementary Darlington Power Transistor

Complementary Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications Features Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. • Monolithic Construction With Built−in Base−Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain − hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc •

ONSEMI

安森美半导体

MJD128T4G

Complementary Darlington Power Transistor

Complementary Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Monolithic Construction With Built−in Base−Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain: hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • E

ONSEMI

安森美半导体

MJD128T4G

Complementary Darlington Power Transistor

文件：185.04 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD128T4G

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 描述：TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJD128T4G_12

Complementary Darlington Power Transistor

文件：185.04 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NJVMJD128T4G

Complementary Darlington Power Transistor

Complementary Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Monolithic Construction With Built−in Base−Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain: hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • E

ONSEMI

安森美半导体

NJVMJD128T4G

Complementary Darlington Power Transistor

文件：185.04 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD128T4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD128T4

  • 功能描述

    TRANS DARL PNP 8A 120V DPAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    1A 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    30V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）

    200mV @ 100mA，1A 电流 -

  • 集电极截止（最大）

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    300 @ 500mA，5V 功率 -

  • 最大

    710mW 频率 -

  • 转换

    100MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    MMBT489LT1GOSDKR

MJD128T4供应商更多...

更新时间：2026-3-2 16:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市中飞凌科技有限公司
MJD128T4G
ON(安森美)
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