您好,欢迎来到114ic资料网！

芯片资料
  • 数据手册
  • 丝印反查
  • 库存查询
  • 行业新闻
  • 生产厂家
  • 替换型号
  • 晶体管

位置：首页 > IC中文资料第129页 > MJD122T4G

MJD122T4G价格

参考价格：￥0.9296

型号：MJD122T4G 品牌：ON 备注：这里有MJD122T4G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJD122T4G批发/采购报价，MJD122T4G行情走势销售排行榜，MJD122T4G报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MJD122T4G

Complementary Darlington Power Transistor

文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD122T4G

Complementary Darlington Power Transistor

文件：106.5 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD122T4G

Complementary Darlington Power Transistor

文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD122T4G

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 描述：TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJD122T4G

三极管

ONSEMI

安森美半导体

MJD122T4

SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix) • Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix) • Sur

Motorola

摩托罗拉

MJD122T4

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS

DESCRIPTION The MJD122 and MJD127 form complementary NPN - PNP pair. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS ■ INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE ■ THROUGH HOLE T

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MJD122T4

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS

DESCRIPTION The MJD122 and MJD127 form complementary NPN - PNP pair. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS ■ INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE ■ THROUGH HOLE T

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MJD122T4

Complementary Darlington Power Transistor

文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD122T4

Complementary Darlington Power Transistor

文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD122T4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD122T4G

  • 功能描述

    达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

MJD122T4G供应商更多...

更新时间：2025-9-27 10:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市河锋鑫科技有限公司
MJD122T4G
80000
询价
深圳市芯连胜科技有限公司
MJD122T4G
ON
20+
DPAK
5328
原装正品现货
询价
深圳市讯顺达科技有限公司
MJD122T4G
ON
20+
TO-252
50000
全新原装公司现货
询价
深圳市一线半导体有限公司
MJD122T4G
ON
24+
DPAK4LEADSingleG
8866
询价
海芯未来半导体电子（深圳）有限公司
MJD122T4G
ON
24+
DPAK
21935
询价
深圳市南科功率半导体有限公司
MJD122T4G
NK/南科功率
2025
TO-252
3200
国产南科
询价
北京逸博微科技有限公司
MJD122T4G
ON
20+
38500
全新现货热卖中欢迎查询
询价
深圳市威尔健半导体有限公司
MJD122T4G
ON/安森美
23+
TO252
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
深圳市安富世纪电子有限公司
MJD122T4G
ONSemi
23+
DPAK
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
深圳市正纳电子有限公司
MJD122T4G
ON(安森美)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价

MJD122T4G芯片相关品牌

MJD122T4G规格书下载地址

MJD122T4G参数引脚图相关

MJD122T4G数据表相关新闻

DdatasheetPDF页码索引

新数据|IC资料索引|IC关键词|IC库存|IC中文资料|关于我们|联系我们

Copyright © 2003-2025 www.114ic.cn All Rights Reserved 网站备案: 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

声明：本站所有资料均来自互联网及网友提供，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权请联系QQ：303638005，本站马上更正

字母索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示