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MJD112-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·High DC current gain ·Lead formed for surface mount applications ·Built-in a damper diode at E-C ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

ISC

无锡固电

更新时间:2026-1-5 20:47:00
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