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MJD112-001

Complementary Darlington Power Transistors

Complementary Darlington Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications

ONSEMI

安森美半导体

MJD112-001

Complementary Darlington Power Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

MJD112-001

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 包装:散装 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJD112-001产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD112-001

  • 功能描述

    达林顿晶体管 2A 100V Bipolar

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-10-2 18:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
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ON/安森美
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