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位置：首页 > IC中文资料第6577页 > MJB44H11T4

MJB44H11T4价格

参考价格：￥2.7069

型号：MJB44H11T4 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有MJB44H11T4多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJB44H11T4批发/采购报价，MJB44H11T4行情走势销售排行榜，MJB44H11T4报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJB44H11T4

ComplementaryPowerTransistors

ComplementaryPowerTransistors D2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepoweramplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,convertersandpoweramplifiers. Features •LowCollector−EmitterSatu

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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MJB44H11T4

ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount

文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages

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安森美半导体安森美半导体公司

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MJB44H11T4

LowvoltageNPNpowertransistor

文件：412.51 Kbytes Page：11 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
MJB44H11T4

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 描述：TRANS NPN 80V 10A D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
MJB44H11T4G

ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount

Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJB44H11T4-A

Automotive-gradelowvoltageNPNpowertransistor

文件：412.27 Kbytes Page：11 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
MJB44H11T4G

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 80V 10A D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJB44H11T4G

ComplementaryPowerTransistors

文件：115.99 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

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ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount

文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages

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MJB44H11T4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJB44H11T4

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 8A 80V 50W NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MJB44H11T4供应商更多...

更新时间：2025-8-4 11:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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