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位置：首页 > IC中文资料第1636页 > MJ11030

MJ11030晶体管资料

  • MJ11030别名：MJ11030三极管、MJ11030晶体管、MJ11030晶体三极管

  • MJ11030生产厂家：

  • MJ11030制作材料：Si-P+Darl+Di

  • MJ11030性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • MJ11030封装形式：直插封装

  • MJ11030极限工作电压：90V

  • MJ11030最大电流允许值：50A

  • MJ11030最大工作频率：<1MHZ或未知

  • MJ11030引脚数：2

  • MJ11030最大耗散功率：300W

  • MJ11030放大倍数：β>1000

  • MJ11030图片代号：E-44

  • MJ11030vtest：90

  • MJ11030htest：999900

  • MJ11030atest：50

  • MJ11030wtest：300

  • MJ11030代换 MJ11030用什么型号代替：

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJ11030

POWER TRANSISTOR(50A,60-120V,300W)

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS . . . designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. • High Gain Darlington Performance • High DC Current Gain: hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 A hFE = 400 (Mi

MOSPEC

统懋

MJ11030

50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS

High-Current Complementary Silicon Transistor . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. • High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc • Curves to 100 A (Pulsed) •

Motorola

摩托罗拉

MJ11030

COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

High−Current Complementary Silicon Power Transistors are for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc • Curves to 100 A

ONSEMI

安森美半导体

MJ11030

COMPLEMENTARY DARLINGTON POWER TRANSISTOR

FEATURES • HIGH DC CURRENT GAIN HFE = 1000 Min @ IC = 25A HFE = 400 Min 0@ IC = 50A • CURVES TO 100A (Pulsed) • DIODE PROTECTION TO RATED IC • MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT-IN BASE – EMITTER SHUNT RESISTOR • JUNCTION TEMPERATURE TO +200°C APPLICATIONS For use as output de

SEME-LAB

Seme LAB

MJ11030

High-Current Complementary Silicon Power Transistors

High-Current Complementary Silicon Power Transistors are for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. Features • High DC Current Gain - hFE = 1000 (Min) @ Ic = 25Adc hFE = 400 (Min)@ Ic = 50 Adc • Curves to 100 A (P

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

MJ11030

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

文件：51.56 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

MJ11030

High-Current Complementary Silicon Power Transistors

文件：121.71 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJ11030

High?묬urrent Complementary Silicon Power Transistors

文件：68.44 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJ11030

封装/外壳：TO-204AE 包装：托盘 描述：TRANS NPN DARL 90V 50A TO204 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJ11030G

封装/外壳：TO-204AE 包装：托盘 描述：TRANS NPN DARL 90V 50A TO204 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJ11030G

High?묬urrent Complementary Silicon Power Transistors

文件：68.44 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJ11030G

High-Current Complementary Silicon Power Transistors

文件：121.71 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

11030

PEARL ADVANCED IP54

Description Pearl Circular IP54 with Sensor - 12.5W

EKTOR

IJ11030H

EMI/EMC FILTER

Features - Ideally suited for products that must conform to part 15, FCC regulations - Metal cased miniature type with high performance - Meet over voltage category II of IEC 60664 and comply with [EC 60950 - Uses IEC connector that meets the safety standards from certification bodies - Bo

DIT

IJ11030S

EMI/EMC FILTER

Features - Ideally suited for products that must conform to part 15, FCC regulations - Metal cased miniature type with high performance - Meet over voltage category II of IEC 60664 and comply with [EC 60950 - Uses IEC connector that meets the safety standards from certification bodies - Bo

DIT

11030

PVC and Nylon LED Spacers

文件：130.419 Kbytes Page：1 Pages

HeycoHeyco.

海科

MJ11030产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJ11030

  • 功能描述

    TRANS DARL NPN 50A 90V TO-3

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    1A 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    30V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）

    200mV @ 100mA，1A 电流 -

  • 集电极截止（最大）

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    300 @ 500mA，5V 功率 -

  • 最大

    710mW 频率 -

  • 转换

    100MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    MMBT489LT1GOSDKR

MJ11030供应商更多...

更新时间：2025-8-10 20:44:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科恒伟业电子有限公司
MJ11030
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MJ11030
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深圳市百诺芯科技有限公司
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MJ11030
MOT
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深圳诚思涵科技有限公司
MJ11031
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MJ11030
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中天科工半导体（深圳）有限公司
MJ11030
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专业模块
MODULE
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MJ11032
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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深圳市昊创电子有限公司
MJ11030
ON/安森美
专业铁帽
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原装铁帽专营,代理渠道量大可订货
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