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MJ11016晶体管资料

  • MJ11016别名：MJ11016三极管、MJ11016晶体管、MJ11016晶体三极管

  • MJ11016生产厂家：

  • MJ11016制作材料：Si-N+Darl+Di

  • MJ11016性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • MJ11016封装形式：直插封装

  • MJ11016极限工作电压：120V

  • MJ11016最大电流允许值：30A

  • MJ11016最大工作频率：>4MHZ

  • MJ11016引脚数：2

  • MJ11016最大耗散功率：200W

  • MJ11016放大倍数：β>1000

  • MJ11016图片代号：E-44

  • MJ11016vtest：120

  • MJ11016htest：4000100

  • MJ11016atest：30

  • MJ11016wtest：200

  • MJ11016代换 MJ11016用什么型号代替：BDX68C,

MJ11016价格

参考价格：￥14.6985

型号：MJ11016G 品牌：ON 备注：这里有MJ11016多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJ11016批发/采购报价，MJ11016行情走势销售排行榜，MJ11016报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MJ11016

DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

High-Current Complementary Silicon Transistors . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. • High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC – 20 Adc • Monolithic Construction with Built–in Base Emitter Shunt Resistor • Junction Temperature to +200°C

ONSEMI

安森美半导体

MJ11016

POWER TRANSISTORS(30A,60-120V,200W)

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS . . .designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. • High Gain Darlington Performance • High DC Current Gain hFE= 1000 (Min) @ IC = 20 A • Monolithic Construction with Built−in Base Emitter Shun

MOSPEC

统懋

MJ11016

NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DRIVERS)

SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DRIVERS

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永盛电子

MJ11016

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS ..designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. FEATURES: * High Gain Darlington Performance * High DCCurrent Gain hFE = 1000(Min) @ lc = 20A * Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter S

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

MJ11016

Power Transistors

Power Transistors TO-3 Case (Continued)

CENTRAL

MJ11016

200W NPN Darlington BJT Transistor

This BJT is packaged in TO-3 package.\n\n Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.

DIGITRON

MJ11016

Trans Darlington NPN 120V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

MJ11016

SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS

文件：176.82 Kbytes Page：3 Pages

CDIL

MJ11016

Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件：197.49 Kbytes Page：2 Pages

ZSELEC

淄博圣诺

MJ11016

COMPLEMENTARY SILICON POWER COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

文件：255.63 Kbytes Page：3 Pages

SOLIDSTATE

MJ11016

封装/外壳：TO-204AA，TO-3 包装：散装 描述：TRANS NPN DARL 120V 30A TO204 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJ11016

High-Current Complementary Silicon Transistors

文件：68.41 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJ11016

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

文件：51.84 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

MJ11016

High-Current Complementary Silicon Transistors

文件：121.43 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJ11016

Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington

CENTRAL

MJ11016G

High-Current Complementary Silicon Transistors

文件：121.43 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJ11016G

封装/外壳：TO-204AA，TO-3 包装：管件 描述：TRANS NPN DARL 120V 30A TO204 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJ11016NPN

SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS

文件：176.82 Kbytes Page：3 Pages

CDIL

11016

Isolated Resistor Termination Network

Product Description CAMD’s PRN100/110 Isolated Resistor Termination Networks offer high integration and performance in a miniature QSOP or SOIC package, which saves critical board area and provides manufacturing cost and reliability efficiencies. Features • Stable resistor network • High speed

CALMIRCO

PS11016

FLAT-BASE TYPE INSULATED TYPE

INTEGRATED FUNCTIONS AND FEATURES • 3-phase IGBT inverter bridge configured by the latest 3rd. generation IGBT and diode technologies. • Circuit for dynamic braking of motor regenerative energy INTEGRATED DRIVE, PROTECTION AND SYSTEM CONTROL FUNCTIONS: • For P-Side IGBTs : Drive circuit, High

POWEREX

MJ11016产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free：

    Pb

  • Status：

    Active

  • Polarity：

    NPN

  • IC Continuous (A)：

    30

  • V(BR)CEO Min (V)：

    120

  • VCE(sat) Max (V)：

    3

  • hFE Min (k)：

    1

  • fT Min (MHz)：

    4

  • Package Type：

    TO-204-2

MJ11016供应商更多...

更新时间：2026-5-14 12:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
上海磐岳电子有限公司
MJ11016
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