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位置：首页 > IC中文资料第2163页 > MJ11013

MJ11013晶体管资料

  • MJ11013别名：MJ11013三极管、MJ11013晶体管、MJ11013晶体三极管

  • MJ11013生产厂家：

  • MJ11013制作材料：Si-P+Darl+Di

  • MJ11013性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • MJ11013封装形式：直插封装

  • MJ11013极限工作电压：90V

  • MJ11013最大电流允许值：30A

  • MJ11013最大工作频率：>4MHZ

  • MJ11013引脚数：2

  • MJ11013最大耗散功率：200W

  • MJ11013放大倍数：β>1000

  • MJ11013图片代号：E-44

  • MJ11013vtest：90

  • MJ11013htest：4000100

  • MJ11013atest：30

  • MJ11013wtest：200

  • MJ11013代换 MJ11013用什么型号代替：BDX68B...C,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJ11013

POWERTRANSISTORS(30A,60-120V,200W)

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighGainDarlingtonPerformance •HighDCCurrentGainhFE=1000(Min)@IC=20A •MonolithicConstructionwithBuilt−inBaseEmitterShun

MOSPECMospec Semiconductor

统懋统懋半导体股份有限公司

MOSPEC
MJ11013

30AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60.120VOLTS200WATTS

High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC−20Adc •MonolithicConstructionwithBuilt−inBaseEmitterShuntResistor •JunctionTemperatureto+200C

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
MJ11013

PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTOR(SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERSSOLENOIDANDRELAYDRIVERS)

PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTOR SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERS SOLENOIDANDRELAYDRIVERS

WINGSWing Shing Computer Components

永盛电子永盛电子(香港)有限公司

WINGS
MJ11013

PowerTransistors

PowerTransistors TO-3Case(Continued)

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
MJ11013

DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON

High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain—hFE=1000(Min)@IC–20Adc •MonolithicConstructionwithBuilt–inBaseEmitterShuntResistor •JunctionTemperatureto+200°C

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJ11013

iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-90V(Min.) •HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min.)@IC=-20A •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=-3.0V(Max.)@IC=-20A •ComplementtoTypeMJ11014 APPLICATIONS •Designedforuseasoutputdevicesincomplementary

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJ11013

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ..designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. FEATURES: *HighGainDarlingtonPerformance *HighDCCurrentGainhFE=1000(Min)@lc=20A *MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
MJ11013

BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedTO3

文件：15.53 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
11013

PEARLADVANCEDIP54

Description PearlCircularLiteEmergencyIP54withSensor-12.5W

EKTOR

Evolt

EKTOR
AC11013

DUAL4INPUTNANDSCHMITTTRIGGER

DESCRIPTION The74AC/ACT11013high-performanceCMOSdevicescombineveryhighspeedandhighoutputdrivecomparabletothemostadvancedTTLfamilies.

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

11013

TESTJACKS

文件：401.4 Kbytes Page：1 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2
11013

PVCandNylonLEDSpacers

文件：105.12 Kbytes Page：1 Pages

HeycoHeyco.

海科

Heyco
11013-R

TESTJACKS

文件：401.4 Kbytes Page：1 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2

MJ11013产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJ11013

  • 功能描述

    达林顿晶体管 PNP Power

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

MJ11013供应商更多...

更新时间：2025-7-31 18:33:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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