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MHV5IC1810NR2

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier

The MHV5IC1810N wideband integrated circuit is designed with on-chip matching that makes it usable from 1805 to 1990 MHz. This multi-stage structure is rated for 24 to 32 Volt operation and covers all typical cellular base station modulation formats. Final Application • Typical Two-Tone Performa

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MHV5IC1810NR2

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier

ETC

知名厂家

MHV5IC1810NR2

封装/外壳:16-SOP(0.276",7.00mm 宽) 包装:散装 描述:IC AMP CELL 1.8GHZ-1.99GHZ 16PFP RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器

ETC

知名厂家

MHV5IC1810NR2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MHV5IC1810NR2

  • 功能描述

    射频放大器 1.8GHZ IPA PFP16N

  • RoHS

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 类型

    Low Noise Amplifier

  • 工作频率

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB

    18.5 dBm

  • 输出截获点

    37.5 dBm

  • 功率增益类型

    32 dB

  • 噪声系数

    0.85 dB

  • 工作电源电压

    5 V

  • 电源电流

    125 mA

  • 测试频率

    2.6 GHz

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    QFN-16

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-8-8 18:00:00
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