位置：首页 > IC中文资料第7086页 > MGF0910A
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MGF0910A | L,SBANDPOWERGaAsFET DESCRIPTION TheMGF0910A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES •ClassAoperation •Highoutputpower P1dB=38.0dBm(TYP.)@f=2.3GHz •Highpowergain GLP=11.0dB(TYP.)@f=2.3GHz •Highpoweraddedefficiency P.A.E= | MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机 |  |   |
MGF0910A | High-powerGaAsFET(smallsignalgainstage) 文件：213.81 Kbytes Page：4 Pages | MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机 | | |
MGF0910A | L,SBANDPOWERGaAsFET 文件：207.96 Kbytes Page：4 Pages | MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机 | | |
L,SBANDPOWERGaAsFET 文件：207.96 Kbytes Page：4 Pages | MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机 | | | |
High-powerGaAsFET(smallsignalgainstage) 文件：213.81 Kbytes Page：4 Pages | MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机 | | | |
Single-EndedCordsets Basicfeatures ApplicationOperatingvoltage Approval/Conformity CE cULus EAC WEEE | BalluffBalluff Korea Ltd. 巴鲁夫巴鲁夫自动化（上海）有限公司 |  | | |
InternallyMatchedLNAModule 文件：421.19 Kbytes Page：3 Pages | ASB Advanced Semiconductor Business Inc. |  | | |
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PowerStage3x3 文件：1.53356 Mbytes Page：11 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
MGF0910A产品属性
- 类型
描述
- 型号
MGF0910A
- 制造商
MITSUBISHI
- 制造商全称
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述
L, S BAND POWER GaAs FET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MIT |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
MIT |
SMD |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
MIT |
SMD |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
MITSUBISHI |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
MITSUBISH |
2022+ |
GF-21 |
20000 |
只做原装进口现货.假一罚十 |
|||
MITSUBISH |
21+ |
GF-21 |
65200 |
一级代理/放心采购 |
|||
MITSUBISH |
2018+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
MITSUBISHI |
2022 |
102 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
||||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
MIT |
2022 |
SMD |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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