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InternallyClampedN-ChannelIGBT

InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

IgnitionIGBT15Amps,350VoltsN-ChannelTO-220andD2PAK

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安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2024-6-15 22:58:01
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