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MF1011B900 | Microwave power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT448A glued cap metal ceramic flange package, with base connected to flange. FEATURES • Suitable for short and medium pulse applications up to 100 µs pulse width, duty factor 10 • Diffused emitter ballasting r | PHILIPS 飞利浦 |   | |
Microwave power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT448A glued cap metal ceramic flange package, with base connected to flange. FEATURES • Suitable for short and medium pulse applications up to 100 µs pulse width, duty factor 10 • Diffused emitter ballasting r | PHILIPS 飞利浦 | | ||
Microwave power transistor | ETC 知名厂家 | ETC | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
EXXELIA |
25+ |
N/A |
6500 |
原厂正规渠道、保证进口原装正品假一罚十 |
|||
中性 |
DIP |
50000 |
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