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MDQ18N50GTP	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.27Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MDQ18N50GTP	N-ChannelMOSFET500V,20.0A,0.27(ohm) 文件：975.71 Kbytes Page：6 Pages	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
18N50	18Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC18N50isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedplanarstripeandDMOStechnologytoprovideperfectperformance. Thistechnologycanwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode.Itcanprovideminimumon-stateresistancea	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
18N50	FastSwitching •DESCRIPTION •DrainCurrentID=18A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.32Ω(Max) •FastSwitching •APPLICATIONS •Switchregulators •Switchingconverters,motordrivers,relaydrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
18N50	18A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：209.52 Kbytes Page：6 Pages	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
18N50A	18A500VN-channelenhancedfieldeffecttransistor 文件：817.72 Kbytes Page：6 Pages	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
18N50H	18A竊?00VN-CHANNELMOSFET 文件：167.03 Kbytes Page：5 Pages	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

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更新时间：2024-9-23 15:39:00

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