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MDP16N50GTH	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MDP16N50GTH	N-ChannelMOSFET500V,16.0A,0.35(ohm) 文件：1.32602 Mbytes Page：8 Pages	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
16N50	16Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC16N50isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalan	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
AOT16N50	500V,16AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT16N50&AOTF16N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabili	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
16N50A	16A500VN-channelenhancedfieldeffecttransistor 文件：900.91 Kbytes Page：6 Pages	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
16N50H	16A竊?00VN-CHANNELMOSFET 文件：329.21 Kbytes Page：6 Pages	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
AOT16N50	iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：305.65 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更新时间：2024-5-16 23:38:00

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MDLS24119D-02，代理销售，兴中扬电子，只售原装货，值得信赖合作共赢
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