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位置：首页 > IC中文资料第2813页 > MDI150-12A4

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MDI150-12A4

IGBTModulesShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA

IGBTModules ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●switchingfrequencyupto30kHz ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparallelling ●

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
MDI150-12A4

封装/外壳：Y3-DCB 包装：托盘 描述：IGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCB 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
MID150-12A4

IGBTModulesShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA

IGBTModules ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●switchingfrequencyupto30kHz ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparallelling ●

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
MII150-12A4

IGBTModulesShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA

IGBTModules ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●switchingfrequencyupto30kHz ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparallelling ●

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

MDI150-12A4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MDI150-12A4

  • 功能描述

    IGBT 模块 150 Amps 1200V

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

MDI150-12A4供应商更多...

更新时间：2025-8-4 9:43:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MDI150-12A4
IXYS
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MDI150-12A4
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