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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MDD4N60

N-Channel MOSFET 600V, 3.5A, 2.0ohm

文件：770.1 Kbytes Page：7 Pages

MGCHIP

MDD4N60BRH

Power MOSFET

文件：1.07626 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

MDD4N60RH

N-Channel MOSFET 600V, 3.5A, 2.0ohm

文件：770.1 Kbytes Page：7 Pages

MGCHIP

4N60

4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 4N60is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications i

UTC

友顺

4N60

4 Amps竊?00Volts N-Channel MOSFET

文件：543.79 Kbytes Page：5 Pages

ESTEK

伊泰克电子

4N60

4 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：397.76 Kbytes Page：8 Pages

UTC

友顺

4N60

N-Channel Power MOSFET

文件：987.64 Kbytes Page：7 Pages

ARTSCHIP

4N60

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：607.6 Kbytes Page：7 Pages

ZSELEC

淄博圣诺电子

MDD4N60供应商更多...

更新时间：2025-8-7 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市金芯世纪电子有限公司
MDD4N60RH
MCS
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MDD4N60RH
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深圳市科芯源微电子有限公司
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中天科工半导体（深圳）有限公司
MDD4N60RH
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深圳市益百分电子有限公司
MDD4N60B
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深圳市凌旭科技有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
MDD4N60RH
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深圳市英科美电子有限公司
MDD4N60RH
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  • MDD44-16N1B

    专业销售代理国内外知名品牌电力电子半导体器件；主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron、瑞士ABB、Mitsubishi三菱、Fuji富士、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、TYCO泰科、变频器主控板、操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元

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  • MDC5000T1-硅集成电路SMALLBLOCK

    •保持在各类离散双极和场稳定的偏置电流效应晶体管 •提供无镇流器使用的辐射源稳定的偏置使用单个的组件和旁路元件 •工作电压为1.8伏在供电电压下宽范围 •降低偏置电流变化由于温度和单位对单位参变化 •占用？ 0.5毫瓦的VCC = 2.75 v时 该器件提供了一个参考电压作为直流反馈元件和行为围绕一个外部分立，NPN型晶体管或N沟道场效应管。它允许外部晶体管有其发射器/源，直接接地，而且仍然具有稳定集电极/漏极直流电流。这主要是为了稳定的离散射频

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    2013-1-15

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