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N-Channel Power MOSFET 文件：144.32 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | ||
N-Channel Power MOSFET 600 V, 2.0 Ohm 文件：140.17 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：1.07622 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.43514 Mbytes Page：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2022-10-9MDF7-8S-2.54DSA(55)
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2021-12-14MD6000-6UMG641全新原装现货
MD6000-6UMG641，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.
2021-1-20MDD44-16N1B
专业销售代理国内外知名品牌电力电子半导体器件；主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron、瑞士ABB、Mitsubishi三菱、Fuji富士、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、TYCO泰科、变频器主控板、操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元
2019-10-18MDC5000T1-硅集成电路SMALLBLOCK
•保持在各类离散双极和场稳定的偏置电流效应晶体管 •提供无镇流器使用的辐射源稳定的偏置使用单个的组件和旁路元件 •工作电压为1.8伏在供电电压下宽范围 •降低偏置电流变化由于温度和单位对单位参变化 •占用？ 0.5毫瓦的VCC = 2.75 v时 该器件提供了一个参考电压作为直流反馈元件和行为围绕一个外部分立，NPN型晶体管或N沟道场效应管。它允许外部晶体管有其发射器/源，直接接地，而且仍然具有稳定集电极/漏极直流电流。这主要是为了稳定的离散射频
2013-3-17MDLM117-H-正三端可调稳压
LM117可调三端正电压稳压器能够提供在超过一个1.2V至37V的输出范围为0.5A。这是非常容易使用和只需要两个外部电阻设置输出电压。此外，线和负荷调节比标准的固定稳压器。除了高于固定稳压器的性能，在LM117提供全面的过载只有在IC的保护。在芯片上包括电流限制，热过载保护和安全区的保护。所有过载保护电路仍然存在功能齐全的，即使调整终端断开。通常情况下，没有电容器需要，除非该装置位于超过6英寸在这种情况下，需要输入旁路输入滤波电容。一个可选的输出可以添加电容，以改善瞬态响应。调整终端可以绕过来实现非常高纹波抑制比，这是很难实现的标准三端稳压器。除了取代固定的稳压器，LM117是在其他多种有用
2013-1-15
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