位置:首页 > IC中文资料第301页 > MD8331-D2G-V18-X-P
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SanDisk | ||||
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SanDisk |
MD8331-D2G-V18-X-P产品属性
- 类型
描述
- 型号
MD8331-D2G-V18-X-P
- 功能描述
IC MDOC G4 2GB 69-FBGA
- RoHS
是
- 类别
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列
-
- 标准包装
150
- 系列
- 格式 -
- 存储器
EEPROMs - 串行
- 存储器类型
EEPROM
- 存储容量
4K(2 x 256 x 8)
- 速度
400kHz
- 接口
I²C,2 线串口
- 电源电压
2.5 V ~ 5.5 V
- 工作温度
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳
8-VFDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装
8-DFN(2x3)
- 包装
管件
- 产品目录页面
1445(CN2011-ZH PDF)
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
M-SYSTEMS |
2016+ |
FBGA69 |
6523 |
只做进口原装现货!假一赔十! |
|||
明达微 |
23+ |
SOT893 |
6000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
|||
M-SYSTEMS |
21+ |
BGA |
20000 |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
|||
M-SYSTEMS |
BGA |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
SanDisk |
2022 |
ICMDOCG42GB69-FBGA |
5058 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
|||
M-SYSTE |
629 |
BGA |
9 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
M-SYSTEMS |
23+ |
NA/ |
630 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
M-SYSTE |
21+ |
BGA |
229 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
M-SYSTE |
BGA |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
M-SYSTEMS |
2021+ |
FBGA69 |
6220 |
百分百原装正品 |
MD8331-D2G-V18-X-P规格书下载地址
MD8331-D2G-V18-X-P参数引脚图相关
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- msm8625q
- msm7227a
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- MP3
- mos晶体管
- mos管
- MOSFET
- molex连接器
- mega16
- MD9238
- MD918F
- MD918BF
- MD918B
- MD918AF
- MD918A
- MD918
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- MD-90SN
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- MD8C830
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- MD83C154-30
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- MD83C154-16
- MD83C154-12
- MD83C151C-L16
- MD83C151C-36
- MD83C151C-30
- MD83C151C-25
- MD83C151C-20
- MD83C151C-16
- MD83C151C-12
- MD833A-D48
- MD833A-D24-W3
- MD833A-D24-W1
- MD833A-D24
- MD8331-D2G-V3-X-P/Y
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- MD8331-D2G-V3-X
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- MD8331-D2G-V18-X
- MD82C89B
- MD82C89/B
- MD82C89
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- MD82C88/B
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- MD82C86H-5B
- MD82C86H-5
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- MD82C85/B
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- MD82C84A
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- MD82C83H
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MDF7-8S-2.54DSA(55)
2021-12-14MD6000-6UMG641全新原装现货
MD6000-6UMG641,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.
2021-1-20MDD44-16N1B
专业销售代理国内外知名品牌电力电子半导体器件;主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron、瑞士ABB、Mitsubishi三菱、Fuji富士、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、TYCO泰科、变频器主控板、操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元
2019-10-18MDC5000T1-硅集成电路SMALLBLOCK
•保持在各类离散双极和场稳定的偏置电流效应晶体管•提供无镇流器使用的辐射源稳定的偏置使用单个的组件和旁路元件•工作电压为1.8伏在供电电压下宽范围•降低偏置电流变化由于温度和单位对单位参变化•占用?0.5毫瓦的VCC=2.75v时该器件提供了一个参考电压作为直流反馈元件和行为围绕一个外部分立,NPN型晶体管或N沟道场效应管。它允许外部晶体管有其发射器/源,直接接地,而且仍然具有稳定集电极/漏极直流电流。这主要是为了稳定的离散射频
2013-3-17
DdatasheetPDF页码索引
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