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位置：首页 > IC中文资料第1418页 > MCR12DSN-001

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MCR12DSN-001

Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors

Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Designed for high volume, low cost, industrial and consumer applications such as motor control; process control; temperature, light and speed control. Features • Small Size • Passivated Die for Reliability and Uniformity

ONSEMI

安森美半导体

MCR12DSN-001

Silicon Controlled Rectifiers

Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Designed for high volume, low cost, industrial and consumer applications such as motor control; process control; temperature, light and speed control. Features • Pb−Free Package is Available • Small Size • Passivated Di

KERSEMI

MCR12DSN-001

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 包装：管件 描述：SCR 800V 12A IPAK 分立半导体产品 晶闸管 - SCR

ONSEMI

安森美半导体

MCR12DSN-001G

Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors

Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Designed for high volume, low cost, industrial and consumer applications such as motor control; process control; temperature, light and speed control. Features • Small Size • Passivated Die for Reliability and Uniformity

ONSEMI

安森美半导体

MCR12DSN-001产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MCR12DSN-001

  • 功能描述

    SCR 800V 12A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics 最大转折电流

  • IBO

    480 A 额定重复关闭状态电压

  • VDRM

    600 V

  • 关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）

    5 uA

  • 开启状态

    RMS

  • 正向电压下降

    1.6 V

  • 栅触发电压(Vgt)

    1.3 V

  • 最大栅极峰值反向电压

    5 V

  • 栅触发电流(Igt)

    35 mA 保持电流（Ih

  • 最大值）

    75 mA

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    TO-220

  • 封装

    Tube

MCR12DSN-001供应商更多...

更新时间：2025-8-8 10:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市壹芯创科技有限公司
MCR12DSN-001
ON
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MCR12DSN-001
ON/安森美
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MCR12DSN-001
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MCR12DSN-001
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MCR12DSN-001
ON/安森美
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MCR12DSN-1G
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