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MCR01MZPJ823

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

FEATURES • The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz • Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz • SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz • This product

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-9-28 17:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM Semiconductor
23+
100
原装正品现货,德为本,正为先,通天下!
ROHMSEMICONDUCTOR
1510
20000
原装现货支持BOM配单服务
ROHM
2023+
15800
进口原装现货
ROHM
25+
SMD
10000
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ROHM
PBFREE
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
ROHM
24+
N/A
90000
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理
N/A
24+
10000
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2447
SMD
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ROHM/罗姆
21+
0402inch
850000
原装现货,样品可售
ROHM罗姆
12+
SMD
409
原装现货、真实库存

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