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MCR01MZPJ620

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

FEATURES • The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz • Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz • SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz • This product

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-8-6 14:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
23+
NA
452452
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