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MCR01MZPJ5R6

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

FEATURES • The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz • Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz • SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz • This product

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2025-8-5 17:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
23+
NA
452452
专做原装正品,假一罚百!
ROHM
25+
SMD
20000
原厂原装,价格优势
ROHM
SMD
335000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
ROHM
22+
SMD
8200
原装现货库存.价格优势
ROHM
24+
N/A
90000
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理
ROHM/罗姆
23+
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
N/A
24+
10000
N/A
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
Rohm
24+
8000
原装现货,特价销售
ROHM
2023+
3000
进口原装现货

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