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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■100V,3A,RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=280mΩ@VGS=6V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)3.7mΩ ID180A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)4.0mΩ ID87A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

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YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司

YANGJIE
更新时间:2024-5-25 11:49:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
20+
SOT-223
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
CET
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SOT-223
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CET
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CCSEMI/芯能圆
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SOT-223
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VB
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SOT-223
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CET
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SOT-223
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CET/華瑞
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SOT223
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CET/華瑞
SOT-223
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CET/華瑞
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TO-223
50000
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