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MC33269DR2-3.3价格
参考价格：￥1.7499
型号：MC33269DR2-3.3G 品牌：ONSemi 备注：这里有MC33269DR2-3.3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MC33269DR2-3.3批发/采购报价，MC33269DR2-3.3行情走势销售排行榜，MC33269DR2-3.3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MC33269DR2-3.3 | 800 mA, Adjustable Output, Low Dropout Voltage Regulator The MC33269/NCV33269 series are low dropout, medium current, fixed and adjustable, positive voltage regulators specifically designed for use in low input voltage applications. These devices offer the circuit designer an economical solution for precision voltage regulation, while keeping power loss | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
MC33269DR2-3.3 | 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：卷带（TR）剪切带（CT） 描述：IC REG LINEAR 3.3V 800MA 8SOIC 集成电路（IC） 线性 + 开关稳压器 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
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800 mA, Adjustable Output, Low Dropout Voltage Regulator The MC33269/NCV33269 series are low dropout, medium current, fixed and adjustable, positive voltage regulators specifically designed for use in low input voltage applications. These devices offer the circuit designer an economical solution for precision voltage regulation, while keeping power loss | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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MC33269DR2-3.3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MC33269DR2-3.3
- 功能描述
低压差稳压器 - LDO 3.3V ADJ 800mA
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 最大输入电压
36 V
- 输出电压
1.4 V to 20.5 V
- 回动电压（最大值）
307 mV
- 输出电流
1 A
- 负载调节
0.3 %
- 输出类型
Fixed
- 最大工作温度
+ 125 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
VQFN-20
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTOROLA/摩托罗拉 |
25+ |
SOIC-8 |
65428 |
百分百原装现货 实单必成 |
|||
ON(安森美) |
24+ |
SOIC-8_150mil |
7102 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
ONSEMICONDUCTOR |
23+ |
NA |
1482 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
MOT |
25+ |
SO-8 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
MOTOROLA |
SOP8 |
1472 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
||||
ON/安森美 |
2403+ |
SOP8 |
6489 |
原装现货热卖!十年芯路!坚持! |
|||
ON/安森美 |
24+ |
SOP8 |
21574 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
MOT |
24+ |
SOP-8 |
70385 |
||||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
24+ |
SOIC-8 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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2020-9-12MC33253-全桥预驱动器
MC33253是一个完整的桥式驱动器，包括综合费用泵，两个独立的高端和低端驱动器通道。高和低边驱动器包括一个交叉传导抑制电路，如果启用，可以防止在外部功率FET在同一时间。该驱动器输出的有能力的源和汇一峰一脉电流。偏低的渠道是参照地上，偏高地面通道是浮在上面。线性稳压器提供了最大的15.5V的低供应边栅极驱动阶段。高边驱动器提供一个阶段10V的电荷泵电压。这种内置的功能，相关的外部电容提供了一个全浮式高边驱动。一个主管和过电压保护系统防止不稳定在电源电压不正常运作。在故障，这些功能力进入关闭状态的驱动级。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL兼容输出。输入滞后，使输出的开关时间独立的输入转换时间。
2013-2-8MC33186-汽车的H-桥驱动器
•工作电源电压5V至28V •对瞬态过电压保护在VBAT的电压高达40V •导通电阻=150毫瓦为每个输出晶体管在25 ° C •连续直流负载电流5A（班 •输出电流限制在一个典型6,5+/ - 20％ •短路关断输出电流为8A以上 •逻辑输入的TTL/ CMOS兼容 •工作频率可达20千赫 •过温保护 •短路保护 •欠压禁止功能
2013-2-8MC33348D-1-一个单元智能电池组锂电池保护电路
MC33348是一种单片锂离子电池的保护电路，旨在增强的一个细胞可充电的有用的工作寿命电池组。细胞保护功能，包括内部微调的电荷放电电压的限制，放电电流限制检测延迟关断，和几乎为零的当前sleepmode状态时，细胞排出。另外一个特点包括一个片上电荷泵为降低MOSFET的损失，而充电或放电低细胞电压的电池组。该保护电路需要的最低数量是针对列入了电池组内部和外部元件。MC33348是标准SOIC 8引线表面贴装包。 •内部微调的充电和放电电压限制 •放电延迟关断限流检测 •当前Sleepmode几乎为零的状态时，细胞均痊愈出院
2012-12-30
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