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MC33102D	DUALSLEEP-MODEOPERATIONALAMPLIFIER TheMC33102dualoperationalamplifierisaninnovativedesignconceptthathastwoseparatestates,asleepmodeandanawakemode.Insleepmode,theamplifierisactiveandwaitingforaninputsignal.Whenasignalisappliedcausingtheamplifiertosourceorsink160A(typically)totheloa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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AOCA33102E	12VCommon-DrainDualN-ChannelMOSFET GeneralDescription •TrenchPowerMOSFETtechnology•UltralowRSS(ON)•Commondrainconfigurationfordesignsimplicity•RoHS2.0andHalogen-FreeCompliant Applications •Batteryprotectionswitch•Mobiledevicebatterycharginganddischarging	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
33102C	VerticalMountToroidalInductors 文件：130.81 Kbytes Page：3 Pages	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所
33102C	VerticalMountToroidalInductors 文件：137.23 Kbytes Page：3 Pages	MURATA-PSMurata Power Solutions Inc. 村田村田制作所

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更新时间：2024-6-17 14:40:00

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MC33143是一种双高边开关，电磁阀控制在设计苛刻的汽车应用，但非常适合于其他环境。设备还可以用于控制小电机和继电器以及螺线管。MC33143采用SMARTMOSE技术，CMOS逻辑电路，模拟电路，双极性/MOS和DMOS功率输出。一个内部电荷泵成立高效的门增强内部高侧功率输出器件。输出设计电流提供低阻抗螺线管。MC33143提供个别输出故障状态报告内部过流过温保护。该器件还具有过压保护，自动恢复，“全球”禁用的两个输出病程过压状态。每个输出有个别的过流过温自动关机，然后重试恢复。输出是与CMOS逻辑高，适用于提供真实输入信号启用逻辑控制。输出，在开机时，
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