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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MC100EL11DR2 | 5.0 V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer 文件：150.83 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
5.0 V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer 文件：150.83 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
5.0V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer 文件：166.51 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC CLK BUFFER 1:2 1.5GHZ 8SOIC 集成电路（IC） 时钟缓冲器，驱动器 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
ECL/PECL 1:2 Differential Fanout Buffer [Arizona-Microtek] DESCRIPTION The AZ10/100EL11 is a differential 1:2 fanout gate. The device is functionally similar to the E111 device but with higher performance capabilities. Having within-device skews and output transition times significantly improved over the E111, the EL11 is ideally suit | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |
MC100EL11DR2产品属性
- 类型
描述
- 型号
MC100EL11DR2
- 功能描述
时钟缓冲器 5V
- 1
2 ECL Diff
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 输出端数量
5
- 最大输入频率
40 MHz
- 电源电压-最大
3.45 V
- 电源电压-最小
2.375 V
- 最大工作温度
+ 85 C
- 最小工作温度
- 40 C
- 封装/箱体
LLP-24
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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