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MBRS360T3G_V01

Surface Mount Schottky Power Rectifier

This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-14 16:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
SMC
42000
只做原装进口现货
ON/安森美
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SMC
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郑重承诺只做原装进口现货
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保证进口原装可开17%增值税发票
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